takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    50 left arrow 71
    Wokół strony 30% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 15.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.9 left arrow 1,457.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
    Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    50 left arrow 71
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,757.3 left arrow 15.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,457.4 left arrow 7.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    557 left arrow 1757
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania