RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Compara
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB vs Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1466
2136
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link