Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB против Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB

Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15 10.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.7 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB

Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

25 25
Скорость чтения, Гб/сек

10.8 15.0
Скорость записи, Гб/сек

8.4 8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 12800

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1466 2136

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB

Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB

Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

модули RAM