RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
53
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2088
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link