Comparación de la memoria RAM Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Puntuación global

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 54

En -93% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.6 1,308.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 5300

En 4.02 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

371 3693

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns