RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
54
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
3088
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link