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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
4065
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
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