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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
3525
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
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