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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
54
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
3827
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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