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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
54
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
3537
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
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