RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
54
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2912
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link