RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
3540
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link