RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
54
En -74% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.5
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
1860
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link