RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
54
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2908
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link