Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Puntuación global
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Puntuación global
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 17.7
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    22 left arrow 54
    En -145% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.7 left arrow 1,308.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 5300
    En 4.02 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    54 left arrow 22
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,573.5 left arrow 17.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,308.1 left arrow 12.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    371 left arrow 3075
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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