RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Compara
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,636.8
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
68
En -84% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,540.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,636.8
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
827
2804
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link