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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Compara
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,636.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
68
En -143% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,540.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,636.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
827
3085
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
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