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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Compara
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,636.8
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
68
En -127% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,540.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,636.8
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
827
3040
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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