RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
72
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,938.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,938.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
677
2353
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link