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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

Puntuación global
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 15.1
    Valor medio en las pruebas
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    38 left arrow 50
    En -32% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.6 left arrow 10.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    50 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 15.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.9 left arrow 11.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2512 left arrow 2382

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM

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