RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2382
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link