RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
52
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2989
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link