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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
52
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
25
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
2989
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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