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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
72
En -89% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
1,938.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,938.7
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
677
2961
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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