RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
64
En -78% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2760
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link