RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
64
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2760
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link