RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
64
En -191% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
3115
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link