RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
21.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
64
En -113% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
4156
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link