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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
50
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
50
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2326
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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