RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
64
67
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
2,256.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
67
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2042
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link