RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
64
En -146% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
3937
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link