RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
59
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2937
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link