RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
59
En -40% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
42
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2525
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link