RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
59
Около -40% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
42
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
13.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2525
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link