RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
64
En -146% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
2,256.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
1931
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link