RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
64
En -137% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2288
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link