RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2288
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link