RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
64
En -68% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2346
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link