RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
64
Por volta de -68% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
10.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2346
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link