RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2236
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link