RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
42
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2236
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link