RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
42
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
20
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3632
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Team Group Inc. 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link