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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3384
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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