RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.6
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
1832
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link