RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.6
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
1832
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link