RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.6
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
1832
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link