RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3506
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link