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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
9.7
16.5
写入速度,GB/s
6.0
14.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3506
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
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