RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
42
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
39
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2782
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link