RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
42
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
39
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
6.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2782
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link