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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
42
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2776
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
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